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前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。 MOSFET的开关特性 在功率转换中，MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间：Td(on）、上升时间：tr、关断延迟时间：：Td(off）、下降时间：tf。下面是从以低导通电阻和高速开关为特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技术规格中摘录的内容。这些参数的名称和符号，各厂家间可能多少有些不同。例如，导通（关断）延迟时间与Turn-on (off)delay time，上升（下降）时间与 rising (falling) time 或 rise (fall) time等。 
这些与开关相关的参数，受测量电路的信号源阻抗和漏极负载电阻RL的影响较大。 因此，基本上会规定测量条件，提供测量电路。一般技术规格中会提供上例中所示的VDD、VGS、ID、RL、RG的条件。规定的条件适用于提供的测量电路。 另外，因为是时间参数，因此其参数规定可能是“从哪里到哪里的时间”。 >导通延迟时间：从VGS上升10%到VDS上升10%的时间
>上升时间：从VDS上升10%到90%的时间 >关断延迟时间：从VGS下降90%到VDS下降90%的时间
>下降时间：从VDS下降90%到10%的时间 这里的VDS“上升/下降”的表达从波形看可能好像是反的，这是因为输出是反转的。例如，导通时间可解释为“VGS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。 开关特性的温度特性 这些开关时间随着温度上升略有増加趋势。由于温度上升100℃约增加10%左右，因此可以认为几乎没有温度依赖性。下面是实测例。 
下一篇计划介绍ID-VGS特性。 关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。 ・开关特性受测量条件和测量电路的影响较大，因此一般确认提供条件。 ・开关特性几乎不受温度变化的影响。
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发表于 2019-8-2 14:34:10
