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罗姆半导体|4月学习季,3款新品看不停

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发表于 2019-4-1 14:58:15 |显示全部楼层
全球知名半导体制造商ROHM半导体近期新品不断,4月学习季,小R带大家一起揭晓最新的三款新品。
  • 具备安全功能的16位通用微控制器“ML62Q1300/1500/1700系列”
  • 反向恢复时间极快且提高设计灵活度的“R60xxJNx系列”共30种机型登场
  • ROHM的SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型


1、具备安全功能的16位通用微控制器“ML62Q1300/1500/1700系列”

全球知名半导体制造商ROHM集团旗下的蓝碧石半导体公司,面向生活电器、白色家电、报警设备及安防设备等工业设备,开发出配备蓝碧石独有的16位CPU内核的通用微控制器“ML62Q1300/1500/1700系列”,现已开始量产出货及配套开发工具的网售。
该系列产品是以优异的“安全性”为特点的微控制器,不仅融入了蓝碧石半导体的抗干扰技术,还支持家电安全项目中(IEC60730规定)的13个项目,具备检测微控制器内部故障的自我诊断等功能。拥有由封装和程序容量不同的120个机型组成的强大产品阵容,可广泛应用于从各种家电到小型工业设备的众多领域。因此,在日益高性能化、多功能化的家电领域、干扰和和高温等恶劣环境下也要求稳定工作的小型工业设备领域,可以保护系统或设备免受微控制器产生的意外情况影响。

<新产品特点>
1.具备保护家电的安全功能,支持13个项目
由于微控制器是控制外围元器件的器件,通过微控制器的定期故障诊断,可尽早发现外围元器件的故障并规避风险。另外,微控制器会自行检测自身的故障,可使设备安全停止或返回到初始状态。
  • 作为硬件安全功能,支持13个项目
  • 可提供符合国际标准IEC60730-1 Software class B的自我诊断示例软件


2.丰富的产品阵容,强大的120个机型
为满足日益高性能化、多功能化的家电产品和小型工业设备的需求,蓝碧石准备了丰富的封装和多种ROM容量,客户可根据系统安装面积和成本选择相应的微控制器。




2、反向恢复时间极快且提高设计灵活度的“R60xxJNx系列”共30种机型登场

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。



此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术,实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比,轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外,通过提高导通MOSFET所需要的电压水平,避免发生造成损耗增加原因之一的误开启(Self Turn-on)现象。不仅如此,还通过优化内置二极管的特性,改善了超级结MOSFET特有的软恢复指数,可减少引发误动作的噪声干扰。通过减少这些阻碍用户优化电路时的障碍,提高设计灵活度。

<新产品特点>
开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的,用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化。与一般的MOSFET相比,ROHM的R60xxJNx系列已经具备了误开启现象以及噪声对策,有助于提高用户的设计灵活度。

1.避免增加损耗的误开启对策
本系列产品通过优化MOSFET结构上存在的寄生电容,将开关时的额外栅极电压降低了20%。另外,使MOSFET导通所需的阈值电压(Vth)增加了约1.5倍,是“不易产生误开启现象的设计”。因此,扩大了用户通过栅极电阻来进行损耗调节的范围。



2.改善恢复特性,减少噪声干扰。
通常,超级结MOSFET的内置二极管的恢复特性为硬恢复。但是,ROHM的R60xxJNx系列,通过优化结构,与以往产品相比,新产品的软恢复指数改善了30%,不仅保持了极快的反向恢复时间(trr),还成功减少了噪声干扰。因此,用户通过栅极电阻调节噪音干扰时变得更加容易。






3、ROHM的SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型


全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器又推出SiC MOSFET“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,而且产品阵容丰富,拥有13个机型。



ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,ROHM也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特基势垒二极管(SBD)、于2017年开始供应车载充电器和DC/DC转换器用的SiC MOSFET。


元器件开发历史和应用示意图






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