MOSFE两种类型

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MOSFET中包含耗尽型和增强型两类。其中耗尽型的伏安特性曲线与JFET非常相似， 关键指标的定义也完全相同，唯一的区别在于：它允许uGS大于0 ,导致转移特性曲线包 含大于〇的部分，延续了已有公式，输出伏安特性曲线中增加了 uGS大于0的曲线。

图Section264是增强型MOSFET的伏安特性曲线，也用图Section25-2电路实施测量。
伏安特性之关键
1 )开启电压 UGSTH
图中可以看出UGSTH=1V。当MOSFET的uGS小于UGSTH时，无论UDS多大，电流ID均为 〇 (当然，UDS必须为正值），似乎晶体管被夹断一样，只在UGS大于UGSTH时，晶体管才可 能存在电流，即所谓的开启。一般MOSFET的开启电压均在0.5V〜3V之间。
2)专移特性曲线的数学表达式
经研究，在恒流区，它是一个平方曲线，近似为式〔SeCti〇n26-l〕。

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